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4F 架构全球首产！三星突破DRAM物理极限_蜘蛛资讯网

nbsp;       技术上，4F²架构将传统DRAM的单元面积从6F²缩减为2F×2F正方形结构，理论上可提升单位面积容量30%至50%，同时兼顾速度与功耗优势。     为实现这一结构，三星引入了VCT技术，将晶体管沟道垂直树立，在有限芯片面积内增加沟道长度，有

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up2;+VCT，美光则维持现有设计路线，中国厂商因EUV受限直接布局3D DRAM。                     【本文结束】如需转载请务必注明出处：   

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发布时间：08:19:41